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IRL630A Datasheet

IRL630A Datasheet
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Dimensioni: 224,32 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: IRL630A
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IRL630A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 4.5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

755pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

69W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3