IRFN214BTA_FP001 Datasheet
IRFN214BTA_FP001 Datasheet
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ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IRFN214BTA_FP001
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
