Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IRF7413ZGTRPBF Datasheet

IRF7413ZGTRPBF Datasheet
Totale pagine: 10
Dimensioni: 286,47 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: IRF7413ZGTRPBF
IRF7413ZGTRPBF Datasheet Pagina 1
IRF7413ZGTRPBF Datasheet Pagina 2
IRF7413ZGTRPBF Datasheet Pagina 3
IRF7413ZGTRPBF Datasheet Pagina 4
IRF7413ZGTRPBF Datasheet Pagina 5
IRF7413ZGTRPBF Datasheet Pagina 6
IRF7413ZGTRPBF Datasheet Pagina 7
IRF7413ZGTRPBF Datasheet Pagina 8
IRF7413ZGTRPBF Datasheet Pagina 9
IRF7413ZGTRPBF Datasheet Pagina 10
IRF7413ZGTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1210pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)