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IPP80P04P4L08AKSA1 Datasheet

IPP80P04P4L08AKSA1 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 242,13 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: IPP80P04P4L08AKSA1, IPI80P04P4L08AKSA1
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IPP80P04P4L08AKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 120µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (massimo)

+5V, -16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5430pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

75W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IPI80P04P4L08AKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 120µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (massimo)

+5V, -16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5430pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

75W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO262-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA