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GBJ2010-G Datasheet

GBJ2010-G Datasheet
Totale pagine: 2
Dimensioni: 115,51 KB
Comchip Technology
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 3: GBJ2010-G, GBJ2004-G, GBJ20005-G
GBJ2010-G Datasheet Pagina 1
GBJ2010-G Datasheet Pagina 2
GBJ2010-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBJ

Pacchetto dispositivo fornitore

GBJ

GBJ2004-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBJ

Pacchetto dispositivo fornitore

GBJ

GBJ20005-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBJ

Pacchetto dispositivo fornitore

GBJ