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GB2X50MPS12-227 Datasheet

GB2X50MPS12-227 Datasheet
Totale pagine: 7
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GeneSiC Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: GB2X50MPS12-227
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GB2X50MPS12-227

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

93A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 50A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

40µA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227