GA06JT12-247 Datasheet
GA06JT12-247 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 855,39 KB
GeneSiC Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
GA06JT12-247
|
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo FET - Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) (90°C) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 6A Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AB Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
