FQA6N90_F109 Datasheet
FQA6N90_F109 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 761,47 KB
ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
FQA6N90_F109
![FQA6N90_F109 Datasheet Pagina 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/fqa6n90_f109-0001.webp)
![FQA6N90_F109 Datasheet Pagina 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/fqa6n90_f109-0002.webp)
![FQA6N90_F109 Datasheet Pagina 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/fqa6n90_f109-0003.webp)
![FQA6N90_F109 Datasheet Pagina 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/fqa6n90_f109-0004.webp)
![FQA6N90_F109 Datasheet Pagina 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/fqa6n90_f109-0005.webp)
![FQA6N90_F109 Datasheet Pagina 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/fqa6n90_f109-0006.webp)
![FQA6N90_F109 Datasheet Pagina 7](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/fqa6n90_f109-0007.webp)
![FQA6N90_F109 Datasheet Pagina 8](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/fqa6n90_f109-0008.webp)
Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1880pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 198W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P Pacchetto / Custodia TO-3P-3, SC-65-3 |