Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

FQA6N80 Datasheet

FQA6N80 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 679,81 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: FQA6N80
FQA6N80 Datasheet Pagina 1
FQA6N80 Datasheet Pagina 2
FQA6N80 Datasheet Pagina 3
FQA6N80 Datasheet Pagina 4
FQA6N80 Datasheet Pagina 5
FQA6N80 Datasheet Pagina 6
FQA6N80 Datasheet Pagina 7
FQA6N80 Datasheet Pagina 8
FQA6N80

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.95Ohm @ 3.15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

185W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3