FDG410NZ Datasheet
FDG410NZ Datasheet
Totale pagine: 9
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ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
FDG410NZ
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 535pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 420mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6) Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
