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FCP125N65S3R0 Datasheet

FCP125N65S3R0 Datasheet
Totale pagine: 10
Dimensioni: 385,25 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: FCP125N65S3R0
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FCP125N65S3R0

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 2.4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1940pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

181W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3