DMP58D0LFB-7B Datasheet
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 180mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 470mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 3-X1DFN1006 Pacchetto / Custodia 3-UFDFN |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 180mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 470mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 3-DFN1006 (1.0x0.6) Pacchetto / Custodia 3-UFDFN |
