DMP25H18DLFDE-13 Datasheet
|
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 260mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 3.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 10V Vgs (massimo) ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 81pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type E) Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 260mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 3.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 10V Vgs (massimo) ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 81pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type E) Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad |
