DMG6601LVT-7 Datasheet
DMG6601LVT-7 Datasheet
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Diodes Incorporated
Sito web: https://www.diodes.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
DMG6601LVT-7
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 15V Potenza - Max 850mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26 |
