Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DGD2103AS8-13 Datasheet

DGD2103AS8-13 Datasheet
Totale pagine: 11
Dimensioni: 881,73 KB
Diodes Incorporated
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: DGD2103AS8-13
DGD2103AS8-13 Datasheet Pagina 1
DGD2103AS8-13 Datasheet Pagina 2
DGD2103AS8-13 Datasheet Pagina 3
DGD2103AS8-13 Datasheet Pagina 4
DGD2103AS8-13 Datasheet Pagina 5
DGD2103AS8-13 Datasheet Pagina 6
DGD2103AS8-13 Datasheet Pagina 7
DGD2103AS8-13 Datasheet Pagina 8
DGD2103AS8-13 Datasheet Pagina 9
DGD2103AS8-13 Datasheet Pagina 10
DGD2103AS8-13 Datasheet Pagina 11
DGD2103AS8-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

290mA, 600mA

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

100ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO