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DG636EEQ-T1-GE4 Datasheet

DG636EEQ-T1-GE4 Datasheet
Totale pagine: 17
Dimensioni: 309,7 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: DG636EEQ-T1-GE4, DG636EEN-T1-GE4
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DG636EEQ-T1-GE4

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Circuito interruttore

SPDT

Circuito multiplexer / demultiplexer

2:1

Numero di circuiti

2

Resistenza allo stato attivo (max)

96Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

2Ohm

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

3V ~ 16V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

±3V ~ 8V

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

56ns, 61ns

-3db Larghezza di banda

700MHz

Iniezione di carica

-0.33pC

Capacità canale (CS (off), CD (off))

3.7pF, 4.4pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

500pA

Crosstalk

-62dB @ 10MHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Pacchetto / Custodia

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-TSSOP

DG636EEN-T1-GE4

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Circuito interruttore

SPDT

Circuito multiplexer / demultiplexer

2:1

Numero di circuiti

2

Resistenza allo stato attivo (max)

96Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

300mOhm

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

3V ~ 16V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

±3V ~ 8V

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

46ns, 55ns

-3db Larghezza di banda

700MHz

Iniezione di carica

-0.33pC

Capacità canale (CS (off), CD (off))

3.7pF, 4.4pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

1nA

Crosstalk

-62dB @ 1MHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Pacchetto / Custodia

16-UFQFN

Pacchetto dispositivo fornitore

16-miniQFN (1.8x2.6)