Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet

CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet
Totale pagine: 28
Dimensioni: 905,61 KB
Cypress Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 4: CY7C11501KV18-400BZXI, CY7C11501KV18-400BZXC, CY7C11481KV18-400BZXC, CY7C11481KV18-400BZC
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 1
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 2
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 3
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 4
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 5
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 6
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 7
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 8
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 9
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 10
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 11
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 12
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 13
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 14
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 15
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 16
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 17
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 18
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 19
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 20
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 21
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 22
CY7C11501KV18-400BZXI Datasheet Pagina 23
···
CY7C11501KV18-400BZXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II+

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

CY7C11501KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II+

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

CY7C11481KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II+

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

CY7C11481KV18-400BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II+

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)