CY62128DV30LL-55SXI Datasheet
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 32-SOIC |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 32-TSOP I |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 32-SOIC |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 32-SOIC |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 32-TSOP I |
