BUK9907-55ATE Datasheet
BUK9907-55ATE Datasheet
Totale pagine: 16
Dimensioni: 367,64 KB
NXP
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
BUK9907-55ATE,127
|
Produttore NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108nC @ 5V Vgs (massimo) ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5836pF @ 25V Funzione FET Temperature Sensing Diode Dissipazione di potenza (max) 272W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-5 Pacchetto / Custodia TO-220-5 |
