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BSV236SP L6327 Datasheet

BSV236SP L6327 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 80,23 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: BSV236SP L6327
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BSV236SP L6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 8µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

228pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

560mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363