BSS131L6327HTSA1 Datasheet
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Produttore Infineon Technologies Serie SIPMOS® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 56µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 77pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Infineon Technologies Serie SIPMOS® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 56µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 77pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
