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BSC220N20NSFDATMA1 Datasheet

BSC220N20NSFDATMA1 Datasheet
Totale pagine: 11
Dimensioni: 811,12 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: BSC220N20NSFDATMA1
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BSC220N20NSFDATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

52A

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 137µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3680pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

214W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSON-8-3

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN