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APTM10DHM09TG Datasheet

APTM10DHM09TG Datasheet
Totale pagine: 6
Dimensioni: 280,43 KB
Microsemi
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: APTM10DHM09TG
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APTM10DHM09TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

139A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9875pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4