APTM100A23SCTG Datasheet
APTM100A23SCTG Datasheet
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Microsemi
Sito web: https://www.microsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
APTM100A23SCTG
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss) 1000V (1kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 36A Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 308nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8700pF @ 25V Potenza - Max 694W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
