Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AOTF2606L Datasheet

AOTF2606L Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 349,03 KB
Alpha & Omega Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: AOTF2606L
AOTF2606L Datasheet Pagina 1
AOTF2606L Datasheet Pagina 2
AOTF2606L Datasheet Pagina 3
AOTF2606L Datasheet Pagina 4
AOTF2606L Datasheet Pagina 5
AOTF2606L Datasheet Pagina 6
AOTF2606L Datasheet Pagina 7
AOTF2606L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Ta), 54A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4050pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 36.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack