2SA1930 Datasheet
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 180V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 5µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V Potenza - Max 2W Frequenza - Transizione 200MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220NIS |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 180V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 5µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V Potenza - Max 2W Frequenza - Transizione 200MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220NIS |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 180V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 5µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V Potenza - Max 2W Frequenza - Transizione 200MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220NIS |
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