2N7638-GA Datasheet
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo FET - Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) (158°C) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 8A Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 35V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 225°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-276 Pacchetto / Custodia TO-276AA |
