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1N5834R Datasheet

1N5834R Datasheet
Totale pagine: 3
Dimensioni: 637,92 KB
GeneSiC Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 6: 1N5834R, 1N5833R, 1N5832R, 1N5834, 1N5833, 1N5832
1N5834R Datasheet Pagina 1
1N5834R Datasheet Pagina 2
1N5834R Datasheet Pagina 3
1N5834R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

590mV @ 40A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 10V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

1N5833R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 40A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 10V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

1N5832R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

520mV @ 40A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 10V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

1N5834

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

590mV @ 40A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 10V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

1N5833

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 40A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 10V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

1N5832

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

520mV @ 40A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 10V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C