1HN04CH-TL-W Datasheet
1HN04CH-TL-W Datasheet
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ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
1HN04CH-TL-W
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 270mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 140mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 3-CPH Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
