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183NQ100R Datasheet

183NQ100R Datasheet
Totale pagine: 5
Dimensioni: 100,38 KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 3: 183NQ100R, 183NQ080, 183NQ100
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183NQ100R Datasheet Pagina 5
183NQ100R

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

180A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 180A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

4.5mA @ 100V

Capacità @ Vr, F

4150pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67 HALF-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

HALF-PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

183NQ080

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media Rettificata (Io)

180A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 180A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

4.5mA @ 80V

Capacità @ Vr, F

4150pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67 HALF-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

HALF-PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

183NQ100

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

180A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 180A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

4.5mA @ 100V

Capacità @ Vr, F

4150pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67 HALF-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

HALF-PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-