Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
HS1FL MQG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.862
HS1FL MTG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.812
HS1FL R3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.680
HS1FL RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.546
HS1FL RHG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.226
HS1FL RQG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.726
HS1FL RTG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.310
HS1FL RUG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.708
HS1FL RVG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile22.764
HS1F M2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.208
HS1F R3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.428
HS1GFL Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli 50NS 1A 400V HIGH EFFICIENT RECO Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123FL Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile79.398
HS1GL M2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.362
HS1GL MHG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.968
HS1GL MQG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.114
HS1GL MTG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.930
HS1GL R3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.814
HS1GL RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.772
HS1GL RHG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.696
HS1GL RQG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.274
HS1GL RTG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.580
HS1GL RUG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.712
HS1GL RVG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile27.462
HS1GLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123W Pacchetto dispositivo fornitore: SOD123W Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile528.534
HS1G M2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.992
HS1G R3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile15.744
HS1JFL Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli 75NS 1A 600V HIGH EFFICIENT RECO Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123FL Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile28.026
HS1JL M2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.268
HS1JL MHG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.794
HS1JL MQG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.158

HS1FL MQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.862

HS1FL MTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.812

HS1FL R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.680

HS1FL RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.546

HS1FL RHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.226

HS1FL RQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.726

HS1FL RTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.310

HS1FL RUG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.708

HS1FL RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile22.764

HS1F M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.208

HS1F R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.428

HS1GFL

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

50NS 1A 400V HIGH EFFICIENT RECO

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123F
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123FL
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile79.398

HS1GL M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.362

HS1GL MHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.968

HS1GL MQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.114

HS1GL MTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.930

HS1GL R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.814

HS1GL RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.772

HS1GL RHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.696

HS1GL RQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.274

HS1GL RTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.580

HS1GL RUG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.712

HS1GL RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile27.462

HS1GLW RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123W
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD123W
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile528.534

HS1G M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.992

HS1G R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile15.744

HS1JFL

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

75NS 1A 600V HIGH EFFICIENT RECO

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123F
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123FL
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile28.026

HS1JL M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.268

HS1JL MHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.794

HS1JL MQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.158

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