STW65N65DM2AG
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| Numero parte | STW65N65DM2AG |
| PNEDA Part # | STW65N65DM2AG |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 60A |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 9.372 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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STW65N65DM2AG Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STW65N65DM2AG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
STW65N65DM2AG, STW65N65DM2AG Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 389,72 KB)
  
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STW65N65DM2AG Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 446W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I-PAK Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 154µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8970pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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