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S29WS128N0SBFW012

S29WS128N0SBFW012

Solo per riferimento

Numero parte S29WS128N0SBFW012
PNEDA Part # S29WS128N0SBFW012
Descrizione IC MEMORY NOR
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.596
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 22 - apr 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S29WS128N0SBFW012 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS29WS128N0SBFW012
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
S29WS128N0SBFW012, S29WS128N0SBFW012 Datasheet (Totale pagine: 79, Dimensioni: 1.777,56 KB)
PDFS29WS256N0SBFW012 Datasheet Copertura
S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 2 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 3 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 4 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 5 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 6 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 7 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 8 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 9 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 10 S29WS256N0SBFW012 Datasheet Pagina 11

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  • S29WS128N0SBFW012 Distributor

S29WS128N0SBFW012 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoria-
Formato memoria-
Tecnologia-
Dimensione della memoria-
Interfaccia di memoria-
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TQFP (14x14)

AT28C64X-20PC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1ms

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

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