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JANTXV2N5012S

JANTXV2N5012S

Solo per riferimento

Numero parte JANTXV2N5012S
PNEDA Part # JANTXV2N5012S
Descrizione NPN TRANSISTOR
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.886
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANTXV2N5012S Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANTXV2N5012S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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JANTXV2N5012S Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/727
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)700V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)10nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 25mA, 10V
Potenza - Max1W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-39 (TO-205AD)

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

MBT35200MT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

35V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

310mV @ 20mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1.5A, 1.5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

KSC2688OS

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 10V

Potenza - Max

1.25W

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-126

MPSA63_D74Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

125MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2N2946A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

35V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 1mA, 500mV

Potenza - Max

400mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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