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IS64WV25616BLL-10BLA3

IS64WV25616BLL-10BLA3

Solo per riferimento

Numero parte IS64WV25616BLL-10BLA3
PNEDA Part # IS64WV25616BLL-10BLA3
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.496
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS64WV25616BLL-10BLA3 Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS64WV25616BLL-10BLA3
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS64WV25616BLL-10BLA3, IS64WV25616BLL-10BLA3 Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 458,46 KB)
PDFIS61WV25616BLL-10BI-TR Datasheet Copertura
IS61WV25616BLL-10BI-TR Datasheet Pagina 2 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datasheet Pagina 3 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datasheet Pagina 4 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datasheet Pagina 5 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datasheet Pagina 6 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datasheet Pagina 7 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datasheet Pagina 8 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datasheet Pagina 9 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datasheet Pagina 10 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datasheet Pagina 11

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IS64WV25616BLL-10BLA3 Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-miniBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

8Gb (128M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

240-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

240-FBGA (14x14)

M29W256GL70ZA6F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TBGA (10x13)

IDT71024S20YI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOJ

THGAF8G8T23BAIL

Toshiba Memory America, Inc.

Produttore

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

Consumer UFS

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

UFS

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

153-WFBGA (11.5x13)

71T75602S166PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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