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DG2511DN-T1-E4

DG2511DN-T1-E4

Solo per riferimento

Numero parte DG2511DN-T1-E4
PNEDA Part # DG2511DN-T1-E4
Descrizione IC SWITCH DUAL LV 6MINIQFN
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.100
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 22 - apr 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DG2511DN-T1-E4 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDG2511DN-T1-E4
CategoriaSemiconduttoriCI di interfacciaInterfaccia - Interruttori analogici, multiplexer, demultiplexer
Datasheet
DG2511DN-T1-E4, DG2511DN-T1-E4 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 174,78 KB)
PDFDG2513DN-T1-E4 Datasheet Copertura
DG2513DN-T1-E4 Datasheet Pagina 2 DG2513DN-T1-E4 Datasheet Pagina 3 DG2513DN-T1-E4 Datasheet Pagina 4 DG2513DN-T1-E4 Datasheet Pagina 5 DG2513DN-T1-E4 Datasheet Pagina 6 DG2513DN-T1-E4 Datasheet Pagina 7 DG2513DN-T1-E4 Datasheet Pagina 8 DG2513DN-T1-E4 Datasheet Pagina 9 DG2513DN-T1-E4 Datasheet Pagina 10

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DG2511DN-T1-E4 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Circuito interruttoreSPDT
Circuito multiplexer / demultiplexer2:1
Numero di circuiti1
Resistenza allo stato attivo (max)1.3Ohm
Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)150mOhm (Max)
Tensione - Alimentazione, Singola (V +)1.8V ~ 5.5V
Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)-
Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)35ns, 31ns
-3db Larghezza di banda-
Iniezione di carica14pC
Capacità canale (CS (off), CD (off))19pF
Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)2nA
Crosstalk-64dB @ 1MHz
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Pacchetto / Custodia6-UFDFN
Pacchetto dispositivo fornitore6-miniQFN

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Produttore

Serie

-

Circuito interruttore

SP4T

Circuito multiplexer / demultiplexer

4:1

Numero di circuiti

2

Resistenza allo stato attivo (max)

195Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

3Ohm

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

2V ~ 6V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

-

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

39ns, 78ns

-3db Larghezza di banda

-

Iniezione di carica

-

Capacità canale (CS (off), CD (off))

22pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

200nA

Crosstalk

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Circuito interruttore

SPST - NO

Circuito multiplexer / demultiplexer

1:1

Numero di circuiti

1

Resistenza allo stato attivo (max)

18Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

-

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

1.65V ~ 3.6V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

-

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

6ns, 6ns

-3db Larghezza di banda

-

Iniezione di carica

-

Capacità canale (CS (off), CD (off))

3.5pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

1µA

Crosstalk

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Pacchetto dispositivo fornitore

USV

ISL43143IRZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Circuito interruttore

SPST - NC

Circuito multiplexer / demultiplexer

1:1

Numero di circuiti

4

Resistenza allo stato attivo (max)

25Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

500mOhm

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

2.7V ~ 12V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

±2.6V ~ 6V

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

65ns, 50ns

-3db Larghezza di banda

-

Iniezione di carica

5pC (Max)

Capacità canale (CS (off), CD (off))

10pF, 26pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

100pA

Crosstalk

-89dB @ 1MHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

16-VQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

16-QFN (4x4)

MAX399EPE+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Circuito interruttore

SP4T

Circuito multiplexer / demultiplexer

4:1

Numero di circuiti

2

Resistenza allo stato attivo (max)

100Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

6Ohm (Max)

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

3V ~ 15V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

±3V ~ 8V

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

150ns, 150ns

-3db Larghezza di banda

-

Iniezione di carica

2pC

Capacità canale (CS (off), CD (off))

11pF, 20pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

100pA

Crosstalk

-92dB @ 100kHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Circuito interruttore

SPST - NO

Circuito multiplexer / demultiplexer

1:1

Numero di circuiti

4

Resistenza allo stato attivo (max)

80Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

5Ohm

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

2V ~ 12V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

-

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

12ns, 18ns

-3db Larghezza di banda

200MHz

Iniezione di carica

-

Capacità canale (CS (off), CD (off))

10pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

1µA

Crosstalk

-60dB @ 1MHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

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