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CY62256LL-70ZXI

CY62256LL-70ZXI

Solo per riferimento

Numero parte CY62256LL-70ZXI
PNEDA Part # CY62256LL-70ZXI
Descrizione IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.604
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62256LL-70ZXI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62256LL-70ZXI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62256LL-70ZXI, CY62256LL-70ZXI Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 323,67 KB)
PDFCY62256LL-70ZXIT Datasheet Copertura
CY62256LL-70ZXIT Datasheet Pagina 2 CY62256LL-70ZXIT Datasheet Pagina 3 CY62256LL-70ZXIT Datasheet Pagina 4 CY62256LL-70ZXIT Datasheet Pagina 5 CY62256LL-70ZXIT Datasheet Pagina 6 CY62256LL-70ZXIT Datasheet Pagina 7 CY62256LL-70ZXIT Datasheet Pagina 8 CY62256LL-70ZXIT Datasheet Pagina 9 CY62256LL-70ZXIT Datasheet Pagina 10 CY62256LL-70ZXIT Datasheet Pagina 11

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CY62256LL-70ZXI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-TSOP I

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Toshiba Memory America, Inc.

Produttore

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

153-WFBGA (11.5x13)

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (8x10.5)

S29PL064J70BAW120A

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

PL-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64M (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-FBGA (8.15x6.15)

N04L63W1AB27IT

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-BGA (6x8)

MT29F32G08ABCABH1-10:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

32Gb (4G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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