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BR24G01FVT-3AGE2

BR24G01FVT-3AGE2

Solo per riferimento

Numero parte BR24G01FVT-3AGE2
PNEDA Part # BR24G01FVT-3AGE2
Descrizione IC EEPROM 1K I2C 1MHZ 8TSSOP
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.264
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR24G01FVT-3AGE2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR24G01FVT-3AGE2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR24G01FVT-3AGE2, BR24G01FVT-3AGE2 Datasheet (Totale pagine: 36, Dimensioni: 833,84 KB)
PDFBR24G01-3A Datasheet Copertura
BR24G01-3A Datasheet Pagina 2 BR24G01-3A Datasheet Pagina 3 BR24G01-3A Datasheet Pagina 4 BR24G01-3A Datasheet Pagina 5 BR24G01-3A Datasheet Pagina 6 BR24G01-3A Datasheet Pagina 7 BR24G01-3A Datasheet Pagina 8 BR24G01-3A Datasheet Pagina 9 BR24G01-3A Datasheet Pagina 10 BR24G01-3A Datasheet Pagina 11

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BR24G01FVT-3AGE2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1Kb (128 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.6V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP-B

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Micron Technology Inc.

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.4ns

Tensione - Alimentazione

1.71V ~ 1.89V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-LFBGA (13x15)

CG8098AAT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY62158EV30LL-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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