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BFR183WH6327XTSA1

BFR183WH6327XTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BFR183WH6327XTSA1
PNEDA Part # BFR183WH6327XTSA1
Descrizione RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.174
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFR183WH6327XTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFR183WH6327XTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFR183WH6327XTSA1, BFR183WH6327XTSA1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 667,07 KB)
PDFBFR183WH6327XTSA1 Datasheet Copertura
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BFR183WH6327XTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione8GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno18.5dB
Potenza - Max450mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 15mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)65mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT323-3

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MRF321

M/A-Com Technology Solutions

Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

33V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

13dB

Potenza - Max

10W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.1A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

244-04

Pacchetto dispositivo fornitore

244-04, STYLE 1

SD1019-02

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Guadagno

13dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

125 @ 20mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

BFR93AE6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

9.5dB ~ 14.5dB

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

90mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

JANTXV2N4957

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Guadagno

25dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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